반도체 전공정과 후공정

반도체 전공정과 후공정

 

안녕하세요! 반도체 제조 공정에 대해 자세히 알아보겠습니다. 반도체 제조 공정은 크게 전공정(Front-end Process)과 후공정(Back-end Process)으로 나뉩니다. 각각의 공정에 대해 자세히 살펴보겠습니다.

 

반도체 전공정(Front-end Process)

• 웨이퍼 제조: 실리콘 잉곳을 슬라이싱하여 웨이퍼를 만드는 공정입니다. 웨이퍼 표면을 깨끗하게 연마하고 산화막을 형성합니다.

 

• 포토리소그래피: 웨이퍼 표면에 감광막을 도포하고, 마스크를 통해 회로 패턴을 노광 및 현상하여 회로를 새기는 공정입니다.
• 식각: 회로 패턴을 따라 웨이퍼 표면의 물질을 제거하는 공정입니다. 건식 식각과 습식 식각 방식이 있습니다.
• 이온주입: 반도체 소자의 특성을 조절하기 위해 불순물을 웨이퍼에 주입하는 공정입니다.
• 박막 증착: 웨이퍼 표면에 금속, 절연체, 반도체 물질 등의 박막을 형성하는 공정입니다. 스퍼터링, 화학기상증착 등의 방식이 사용됩니다. 

 

반도체 후공정(Back-end Process)

• 웨이퍼 백그라인딩: 웨이퍼의 두께를 줄이고 균일하게 만드는 공정입니다.
• 다이싱: 웨이퍼를 개별 칩으로 절단하는 공정입니다.
• 다이 본딩: 절단된 칩을 기판이나 리드프레임에 부착하는 공정입니다.
• 와이어 본딩: 칩과 기판 또는 리드프레임을 전기적으로 연결하는 공정입니다.
• 몰딩: 칩을 보호하고 외부 환경으로부터 격리하기 위해 에폭시 수지로 덮는 공정입니다.
• 마킹 및 검사: 완성된 반도체 패키지에 정보를 표기하고 최종 검사를 진행하는 공정입니다.

 

 

최근에는 전공정 미세화의 한계로 인해 후공정 기술이 주목받고 있습니다. 와이어본딩 대신 플립칩 본딩 기술, 리드프레임 대신 BGA(Ball Grid Array) 패키지 등 다양한 후공정 기술이 개발되고 있습니다.

 

이처럼 반도체 제조 공정은 매우 복잡하고 정교한 과정입니다. 전공정과 후공정이 유기적으로 연결되어 최종 반도체 제품을 만들어내는 것입니다. 반도체 산업의 발전과 함께 이 공정들도 지속적으로 발전하고 있습니다.